- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/74 - Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes
Détention brevets de la classe H01L 21/74
Brevets de cette classe: 636
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
82 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
68 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
34 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
29 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
24 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
21 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
19 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
18 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
15 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5345 |
11 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
10 |
| Vanguard International Semiconductor Corporation | 419 |
10 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
8 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
7 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
7 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
7 |
| Elpis Technologies Inc. | 155 |
7 |
| Infineon Technologies Austria AG | 1954 |
6 |
| QROMIS, Inc. | 87 |
6 |
| Intel Corporation | 45621 |
5 |
| Autres propriétaires | 242 |